型号 | NDD04N60ZT4G |
厂商 | ON Semiconductor |
描述 | MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK |
NDD04N60ZT4G PDF | ![]() |
代理商 | NDD04N60ZT4G |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 2 欧姆 @ 2A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4.5V @ 50µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 29nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 640pF @ 25V |
功率 - 最大 | 83W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | NDD04N60ZT4G-ND NDD04N60ZT4GOSTR |